[发明专利]一种层状结构二硫化钼/碳复合材料及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201610860013.5 | 申请日： | 2016-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN106410136B | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 杨占旭;杜金龙 | 申请（专利权）人： | 辽宁石油化工大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/583;H01M4/62;H01M4/58;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 辽宁沈阳国兴知识产权代理有限公司 21100 | 代理人： | 姜婷婷 |
| 地址： | 113001 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开一种层状结构二硫化钼/碳复合材料的制备方法及应用。所述复合材料是以有机胺插层的氧化钼有机/无机杂化化合物为前驱体，将前驱体置于高温区，将硫源置于低温区，在惰性气体保护下同时进行高温硫化和碳化处理来制备得到的。该复合材料具有层状结构，并且碳处于少层二硫化钼的层板间，不仅可以充当电子传输通道，提高了电极材料的导电性，而且其扩大了层间距离，增加了Li+在层间的扩散能力。该复合电极材料表现出较高的比容量，良好的循环性能和倍率性能。本发明工艺简单，原料成本低，易于实现工业规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 层状 结构 二硫化钼 复合材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种层状结构二硫化钼/碳复合材料的制备方法，其特征在于：复合材料是以有机胺插层的氧化钼有机/无机杂化物为前驱体，将前驱体置于高温区，将硫源置于低温区，在惰性气体保护下进行高温加热处理来制备得到的；高温区加热升温至550 oC，低温区也同时加热升温至180 oC，共同保温处理3 h；之后低温区自然冷却，高温区继续加热升温至800 oC，保温处理3 h；所述复合材料呈现纳米片的形貌，碳材料处于层状结构的二硫化钼的层板间，且一层或多层的二硫化钼层与碳层以层层堆叠的方式原位复合；所述硫源为硫脲，硫化过程保证硫源过量。
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