[发明专利]一种Si‑Sb‑Se纳米相变薄膜材料及其制备方法与用途在审
| 申请号： | 201610852690.2 | 申请日： | 2016-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN106374043A | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 胡益丰;朱小芹;邹华;张建豪;孙月梅;薛建忠;吴世臣;袁丽;吴卫华;郑龙;翟良君 | 申请（专利权）人： | 江苏理工学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/35;C23C14/16;C23C14/18 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)32231 | 代理人： | 翁斌 |
| 地址： | 213001 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体材料领域，公开了一种Si‑Sb‑Se纳米相变薄膜材料，所述相变薄膜材料化学组成通式为Six(Sb2Se)1‑x,其中0.05≤X<0.50；通过叠放的Si片的直径来控制Six(Sb2Se)1‑x中Si的成分比，采用室温高真空磁控溅射的方法沉积而成。本发明的Si‑Sb‑Se相变材料，不含有Te元素，属环境友好型材料；同时，Si‑Sb‑Se还具有超高的热稳定性、较低的功耗和较快的相变速度，是理想的相变存储材料，具有较好的市场应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si sb se 纳米 相变 薄膜 材料 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
一种Si‑Sb‑Se纳米相变薄膜材料，所述相变薄膜材料化学组成通式为Six(Sb2Se)1‑x,其中0.05≤X<0.50；通过叠放的Si片的直径来控制Six(Sb2Se)1‑x中Si的成分比。
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