[发明专利]电极、离子敏感传感器、电容和离子活度的检测方法有效
| 申请号： | 201610843153.1 | 申请日： | 2016-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN106501340B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 许鹏;张世理;赵丹 | 申请（专利权）人： | 上海小海龟科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 200439 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种电极、离子敏感传感器、电容和离子活度的检测方法。本发明中，一种用于与金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管MOSFET配合对待测物的电容或离子活度进行检测的电极包括：绝缘基底以及形成在所述绝缘基底上的叉指电极；所述叉指电极包括第一电极和第二电极；至少在所述第一电极的表面覆盖有第一离子敏感膜；至少在所述第二电极的表面上覆盖有第二离子敏感膜。通过本发明提供的电极、离子敏感传感器、电容和离子活度的检测方法，实现了将电极和金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管MOSFET分开制作，有效减小了电极与硅片之间的寄生电容，从而提高了对待测物离子活度或电容检测结果的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 离子 敏感 传感器 电容 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电极，其特征在于，所述电极用于与金属‑氧化物‑半导体场效应晶体管MOSFET配合对待测物的电容或离子活度进行检测；所述电极包括：绝缘基底以及形成在所述绝缘基底上的叉指电极，其中，所述绝缘基底为玻璃；所述叉指电极包括第一电极和第二电极；至少在所述第一电极的表面覆盖有第一离子敏感膜；至少在所述第二电极的表面上覆盖有第二离子敏感膜；所述第一电极与所述第一离子敏感膜之间设置有绝缘介质层，所述第二电极与所述第二离子敏感膜之间设置有绝缘介质层。
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