[发明专利]一种超低衰减大有效面积单模光纤

摘要

本发明涉及一种超低衰减大有效面积单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为5～8μm，芯层的相对折射率Δn1为0～0.20％，芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层和外包层，所述的内包层半径r2为8.5～12μm，相对折射率Δn2小于或等于‑0.20％，所述的下陷内包层半径r3为12.5～30μm，相对折射率Δn3小于或等于‑0.40％，所述外包层为全掺氟二氧化硅玻璃层，相对折射率Δn4小于或等于‑0.20％。本发明通过对芯包层波导结构和材料组分的合理设计，优化光纤各个部分粘度匹配和光纤应力，实现单模光纤的超低衰减性能。并使用掺氟二氧化硅外包层结构，改变光纤材料各个部分的材料弛豫时间，从而改变光纤的虚拟温度，并简化光纤剖面，实现光纤参数的稳定控制。

主权项

1.一种超低衰减大有效面积单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为5～8μm，芯层的相对折射率Δn1为0～0.20％，芯层外从内向外依次包覆内包层、下陷内包层和外包层，所述的内包层半径r2为8.5～12μm，相对折射率Δn2小于或等于‑0.20％，所述的下陷内包层半径r3为12.5～30μm，相对折射率Δn3小于或等于‑0.40％，所述外包层为全掺氟二氧化硅玻璃层，相对折射率Δn4小于或等于‑0.20％；所述的芯层为锗氟及碱金属共掺的二氧化硅玻璃层，或锗与碱金属共掺的二氧化硅玻璃层，其中锗的掺杂贡献量为0.04％～0.08％，碱金属的掺杂量按重量计为50～3000ppm；所述光纤在1550nm波长处的衰减系数小于或等于0.165dB/km。