[发明专利]一种Nandflash内存数据管理的方法在审
| 申请号： | 201610821450.6 | 申请日： | 2016-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN106407130A8 | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 钟团娟;彭文科 | 申请（专利权）人： | 易充新能源（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/06 | 分类号： | G06F12/06 |
| 代理公司： | 深圳市华腾知识产权代理有限公司44370 | 代理人： | 彭年才 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种Nandflash内存数据管理的方法；包括下述步骤S1对内存块进行分区并对数据内存块进行初始化；S2对数据参数进行初始化；S3对数据进行写入操作；S4对数据参数进行更新处理；S5对数据进行读取操作Nandflash用于存储数据，对现在设备普遍要求的大容量存储空间适应性强，且价格大众化能普遍接受。此新型基于Nandflash内存数据管理的方法正是在管理数据应用中有较好的便利性和实用性，针对Nandflash内存分块存储，跨块操作时易出现坏块和频繁擦除内存块，影响重要数据存储的特点，结合实际存储数据内容和大小进行有效的数据分区管理，定义统一操作接口方便代码移植。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nandflash 内存 数据管理 方法 | ||
【主权项】：
一种Nandflash内存数据管理的方法，其特征在于，包括下述步骤：S1：对内存块进行分区并对数据内存块进行初始化；S2：对数据参数进行初始化；S3：对数据进行写入操作；S4：对数据参数进行更新处理；S5：对数据进行读取操作。
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