[发明专利]使用SOI技术的混合丛库追迹设计的方法、设备及系统有效
| 申请号： | 201610807013.9 | 申请日： | 2016-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN106528909B | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | A·米塔尔;M·拉希德 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及使用SOI技术的混合丛库追迹设计的方法、设备及系统。本发明的至少一种方法、设备及系统涉及提供用于制造半导体装置的设计。在电路布局上置放具有第一宽度的第一功能胞元。判定第一功能胞元的至少一个晶体管是否为顺偏或逆偏。在电路布局上相邻于第一功能胞元置放具有第二宽度的第二功能胞元，用于回应于判定至少一个晶体管是顺偏或逆偏，在第一与第二功能胞元的总宽度内提供第一偏压井。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 soi 技术 混合 丛库追迹 设计 方法 设备 系统 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体装置的方法，其包含：在电路布局上置放具有第一宽度的第一功能胞元；判定该第一功能胞元的至少一个晶体管是否为顺偏或逆偏；在该电路布局上相邻于该第一功能胞元置放具有第二宽度的第二功能胞元，用于回应于判定该至少一个晶体管是顺偏或逆偏，在该第一功能胞元与该第二功能胞元的总宽度内提供第一偏压井；相邻该第二功能胞元置放具有该第一宽度的第三功能胞元；以及相邻该第三功能胞元置放具有该第二宽度的第四功能胞元，用于在该第一功能胞元、该第二功能胞元、该第三功能胞元及该第四功能胞元的总宽度内提供第二偏压井。
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