[发明专利]一种低功耗亚阈值全MOS管的基准电压源的设计在审
| 申请号： | 201610804744.8 | 申请日： | 2016-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN107797601A | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | 张国俊;张涛 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G05F1/565 | 分类号： | G05F1/565 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于模拟集成电路领域，涉及一种低功耗基准电压源电路。本电路包含基准核心电路以及启动电路。通过对工作在亚阈值区、线性区和饱和区的MOS晶体管不同电流特性的分析设计了一种低功耗全MOS基准电压源电路。通过使用工作在线性区的MOS晶体管代替普通常规电阻使整个电路实现全MOS基准源的特性，同时可以有效减小电路芯片面积；启动电路用于在电源刚上电时给整个电路提供一个启动电流，以消除简并点。与传统的基准电压源电路相比，本发明的电路不仅能达到非常低的功耗，而且具有较低的温度系数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 阈值 mos 基准 电压 设计 | ||
【主权项】：
一种低功耗亚阈值全MOS管基准电压源的设计，其包含基准核心电路以及启动电路，所述基准核心电路，用于产生基准电压，其特征在于：通过对工作在亚阈值区、线性区和饱和区的MOS晶体管不同电流特性的分析设计了一种低功耗全MOS基准电压源电路。
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