[发明专利]一种基于负载的频率可调振荡电路

摘要

本发明实施例公开了一种基于负载的频率可调振荡电路，包括：电流偏置电路10、振荡电路20。电流偏置电路10为振荡电路20供电。本发明的实例应用在开关电源芯片中。在开关电源芯片工作后，检测到轻载时，希望能将开关频率降低，而重载时，开关频率提高。电流偏置电路中，NM2的漏电流为I_ref，通过负载大小调节BJT2的基极电流可以改变其发射极电流，进而改变BJT1所在支路上的电流，最终改变了电容C的充电电流。电容上充电电流的改变，可以改变振荡器的频率。振荡器频率的改变可以让芯片效率高，节约电能，减小芯片消耗。

主权项

1.一种基于负载的频率可调振荡电路，其特征在于，包括：电流偏置电路（10），所述电流偏置电路（10）包括参考电流Iref、BJT1电流支路和BJT2电流支路，负载调节模块；振荡电路（20），所述振荡电路（20）包括比较器comp和电容充放电电路；所述电流偏置电路（10）包括第一场效应管NM1、第二场效应管NM2、第三场效应管PM1、第一双极性晶体管BJT1、第二双极性晶体管BJT2、负载调节模块，其中：所述第一场效应管NM1的漏极连接到参考输入电流Iref，第一场效应管NM1的栅极和其漏极连接成二极管形式，第一场效应管NM1的源极接地；所述第二场效应管NM2的栅极连接到第一场效应管NM1的栅极，第二场效应管NM2的漏极连到第一双极性晶体管BJT1的发射极，第二场效应管NM2的漏极接地；所述第一双极性晶体管BJT1的发射极和第二场效应管NM2的漏极相连，第一双极性晶体管BJT1的集电极和第三场效应管PM1的漏极连接，第一双极性晶体管BJT1的基极外接偏置电流Ib1；所述第二双极性晶体管BJT2的发射极和第二场效应管NM2的漏极相连，第二双极性晶体管BJT2的集电极和供电电压VDD相连，第二双极性晶体管BJT2的基极与负载调节模块连接；所述第三场效应管PM1的栅极连接到第四场效应管PM2的栅极，第三场效应管PM1的漏极连到第一双极性晶体管BJT1的发射极，第三场效应管PM1的漏极接供电电源VDD。