[发明专利]光掩模坯有效
申请号: | 201610788932.6 | 申请日: | 2016-08-31 |
公开(公告)号: | CN106502041B | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 笹本纮平 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 何杨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及光掩模坯,其包含透明衬底和含铬膜。所述含铬膜由包含Cr、N和可选的O的铬化合物形成,并且具有如下组成:Cr+N+O总含量≥93at%,且满足式:3Cr≤2O+3N。满足第一组成的铬化合物层的厚度在所述含铬膜的总厚度的10%~70%的范围内,所述第一组成是:N/Cr原子比≥0.95,Cr含量≥40at%,Cr+N含量≥80at%,O含量≤10at%。 | ||
搜索关键词: | 光掩模坯 | ||
【主权项】:
光掩模坯,其被加工成适于使用波长250nm以下的曝光光进行图案转印的光掩模,该光掩模坯包含透明衬底和含铬膜,所述含铬膜直接或通过光学膜而设置在所述衬底上,其中,所述含铬膜由至少两个铬化合物层构成,每个铬化合物层由包含铬和氮或包含铬、氮和氧的铬化合物形成,并且具有如下组成:铬含量为至少30at%,铬、氮和氧的总含量为至少93at%,且满足式(1),3Cr≤2O+3N (1)其中,Cr是铬含量(at%),O是氧含量(at%),N是氮含量(at%),所述含铬膜包括至少一个铬化合物层,该铬化合物层满足第一组成:氮/铬的原子比为至少0.95,铬含量为至少40at%,铬和氮的总含量为至少80at%,氧含量为10at%以下,所述至少一个满足第一组成的铬化合物层的总厚度在所述含铬膜的总厚度的10%~70%的范围内,所述含铬膜的薄层电阻为10,000Ω/□以下。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
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