[发明专利]一种检测光刻工艺曝光前晶圆背面水平度的方法及装置在审
| 申请号： | 201610783914.9 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN106403851A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 汪武平;毛智彪;杨正凯 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01B11/30 | 分类号： | G01B11/30;G01B21/30;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种检测半导体晶圆背面水平度的方法即装置，该方法包括设定晶圆背面水平度变化的预定阈值；在对半导体晶圆曝光之前检测晶圆背面水平度的变化，并得到晶圆背面水平度变化值；将所检测的水平度变化与预定阈值进行比较；如果水平度变化值小于预定阈值，对半导体晶圆进行下一工艺步骤的处理，否者，拒绝对半导体晶圆进行下一工艺步骤的处理。与现有技术相比，该方法仅对晶圆背面水平度较好的晶圆进行后续工艺步骤的处理，从而减少了设备资源及材料的浪费，并且还可以在检测到晶圆背面水平度不佳时，对晶圆背面进行清洗工艺，然后，进行再次检测，从而避免晶圆载物台的污染，同时也提高光刻工艺的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 光刻 工艺 曝光 前晶圆 背面 水平 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种检测半导体晶圆背面水平度的方法，包括如下步骤：步骤S1：设定晶圆背面水平度变化的预定阈值；步骤S2：在对半导体晶圆曝光之前检测所述晶圆背面水平度的变化，并得到晶圆背面水平度变化值；步骤S3：将所检测的水平度变化与预定阈值进行比较；如果所述水平度变化值小于预定阈值，执行步骤S4；否者，执行步骤S5；步骤S4：对半导体晶圆进行下一工艺步骤的处理；步骤S5：拒绝对所述半导体晶圆进行下一工艺步骤的处理，对所述半导体晶圆进行背面再清洗后，继续执行步骤S2。
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