[发明专利]一种电流控制方式的欠压保护电路

摘要

本发明实施例公开了一种电流控制方式的欠压保护电路，包括：偏置电路10、比较器电路20。偏置电路10检测输入是否欠压，为比较器电路20产生一个负端输入INN电压。比较器电路20通过比较两个输入端的电压，产生一个输出电压op_out，判断输入IN是否欠压。本发明的实例中，如果输入电压IN发生变化，偏置电路10的电流会发生变化，进而比较器电路20的负端输入电压发生变化，进而比较器电路20的输出电压会发生变化。通过电流控制方式的欠压保护电路，对于芯片输入的欠压检测更加精确。让芯片在较低的输入条件下停止工作，避免了芯片的非正常工作功耗，提高了芯片的正常工作效率。

主权项

1.一种电流控制方式的欠压保护电路，其特征在于，包括：偏置电路（10）：偏置电路（10）通过外接一个电流镜得到一个镜像电流，通过电阻分压得到一个电压输出INN；所述偏置电路（10）的第一场效应管NM1和第三场效应管PM1为耐高压的场效应管；比较器电路（20）：比较器电路（20）包括正向输入端VREF、反向输入端INN和输出端op_out，比较器电路(20)的反向输入端INN接到偏置电路（10）产生的输出电压，比较器电路(20)的正向输入端VREF为基准电压，通过比较两端输入电压的大小得到一个输出电压；其中所述偏置电路（10）包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第一场效应管NM1、第二场效应管NM2、第三场效应管PM1，其中：所述第一电阻R1的一端连接到芯片输入IN，另一端连接到所述第一场效应管NM1的漏极和所述第三场效应管PM1的栅极；所述第一场效应管NM1的栅极接到电源端VDD，所述第一场效应管NM1的源极接到所述第二场效应管NM2的漏极；所述第二场效应管NM2的栅极接到一个偏置电压nbias,所述第二场效应管NM2的源极接地；所述第三场效应管PM1的源极接到芯片输入IN,所述第三场效应管PM1的漏极接到所述第二电阻R2的一端；所述第二电阻R2的另一端接到所述比较器电路（20）的反向输入端INN和所述第三电阻R3的一端；所述第三电阻R3的另一端接地。