[发明专利]一种高离子电导率电解质薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201610769271.2 | 申请日： | 2016-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN106252720B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 吴春华;李林;王志民;王虎;杨淼 | 申请（专利权）人： | 兰州空间技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01M10/0562 | 分类号： | H01M10/0562 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 李爱英;杨志兵 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高离子电导率电解质薄膜的制备方法，属于锂离子电池技术领域。本发明采用Ⅳ族元素掺杂以及远低于室温的薄膜低温沉积方法，提高薄膜化学键和方式以及薄膜的微观结构的无序化程度，实现有效提高薄膜电解质层的离子电导率达到10‑5S/cm量级，可将薄膜锂离子电池的放电电流增大一个量级，有效地提高了薄膜储能电池的大电流放电能力，极大地解决现有薄膜储能电池放电能力不足的缺点，拓展了薄膜储能电池的应用方向。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 电导率 电解质 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高离子电导率电解质薄膜的制备方法，其特征在于：具体操作如下：选择硅酸锂和磷酸锂摩尔比为0.2:1～0.33:1的复合靶材，抽真空至5～5.5×10‑4Pa，降低基体温度至100～150K之间并维持此温度，通入高纯氮，流量为10～20sccm，保持压强0.1～0.5Pa，打开射频磁控溅射，功率为50～200W，预溅射清洗复合靶材表面10～30min，进行100～150K低温沉积2～8h，得到一种高离子电导率电解质薄膜；所述的高纯氮为纯度大于99.999％的氮气。
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