[发明专利]一种减小测试误差的烧熔丝方法

摘要

本发明提供一种减小测试误差的烧熔丝方法，包括S1，建立熔丝真值表，表中包含了芯片各个基准电压实测值范围与需要烧断的熔丝的对应关系以及基准电压标准值；S2，测试放大10倍的基准电压Vcs，当Vcs≤基准电压最低参考值，或Vcs≥基准电压最高参考值，直接判定当前芯片为坏片；S3，若Vcs落在基准电压目标范围内，则芯片合格，若Vcs在基准电压目标范围外，则依据熔丝真值表中各个基准电压实测值范围与需要烧断的熔丝的对应关系，将该具体的基准电压实测值范围对应的芯片各熔丝进行烧断；S4，再次测试电压，若基准电压实测值落在基准电压目标范围内，则芯片合格；否则为不合格。本发明可提高基准电压目标范围较小的测试精度，减小测试误差带来良率损失。

主权项

一种减小测试误差的烧熔丝方法，其特征是，包括以下步骤：步骤S1，建立一张放大N倍的熔丝真值表，N为大于1的自然数，熔丝真值表中包含了芯片各个放大N倍后的基准电压实测值范围与需要烧断的熔丝的对应关系；所述熔丝数量至少两段，其中部分熔丝烧断后能够引起基准电压上升，部分熔丝烧断后能够引起基准电压下降，各熔丝烧断后均对应一个基准电压变化量；熔丝真值表中还设定了基准电压标准值；整个熔丝真值表中基准电压实测值的最小值和最大值分别为基准电压最低参考值和最高参考值；步骤S2，进行一个芯片的测试，监控芯片放大N倍的基准电压实测值Vcs；当Vcs≤基准电压最低参考值，或Vcs≥基准电压最高参考值，直接判定当前芯片为坏片；当基准电压最低参考值<Vcs<基准电压最高参考值，则继续后续步骤；步骤S3，熔丝真值表中基准电压标准值所在的一个基准电压实测值范围称为基准电压目标范围，若Vcs落在所述基准电压目标范围内，则芯片合格，若基准电压实测值落入其他基准电压实测值范围，则依据熔丝真值表中各个基准电压实测值范围与需要烧断的熔丝的对应关系，将该基准电压实测值范围对应的芯片各熔丝进行烧断；步骤S4，再次测量放大N倍的芯片基准电压，若得到的Vcs落在基准电压目标范围内，则芯片烧熔丝成功，执行下一芯片的测试或其它项目的测试。