[发明专利]一种应用于真随机数发生器的电源隔离电路有效

专利信息
申请号: 201610750072.7 申请日: 2016-08-29
公开(公告)号: CN106655741B 公开(公告)日: 2019-03-08
发明(设计)人: 樊星;陈艳 申请(专利权)人: 北京中电华大电子设计有限责任公司
主分类号: H02M1/15 分类号: H02M1/15;G06F7/58
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 102209 北京市昌平区北七家未*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种应用于真随机数发生器的电源隔离电路。在智能卡芯片中,由于安全性的需求,需要一个真随机数发生器,而现在的真随机数发生器理论和实现最成熟的就是基于电阻热噪声的低频采高频结构。这个结构对低频振荡器和高频振荡器的电源隔离和抗干扰性有这很高的要求。本电源隔离电路由稳压模块、隔离模块和基准产生模块三部分组成;本发明可以将外界干扰幅度降低100倍左右,在实际应用中可有效降低电源干扰对随机数的影响,保证随机数的随机性。
搜索关键词: 一种 应用于 随机数 发生器 电源 隔离 电路
【主权项】:
1.一种应用于真随机数发生器的电源隔离电路,其特征在于,该电源隔离电路包含稳压模块、隔离模块和基准产生模块三部分组成,其中:稳压模块由MOS管PM1、NM1、NM2,电阻R1、R2串联构成,其中MOS管NM1和MOS管NM2分别栅端和漏端相连,接成二极管形式,MOS管NM2的源端接地,MOS管NM2的漏端连接MOS管NM1的源端;电阻R2一端与MOS管NM1的漏端相连,另一端与电阻R1的一端相连,电阻R1另一端与MOS管PM1的漏端相连,MOS管PM1的栅端(VBP)接外部电压,MOS管PM1的源端接外部电源(VCC);隔离模块由耗尽型MOS管NNM1、NNM2,电容C1、C2组成,其中耗尽型MOS管NNM1的漏端与外部电源相接,栅端与电容C1的一端和MOS管PM1的漏端相接,该栅端即构成偏置电压A点;耗尽型MOS管NNM2的漏端与耗尽型MOS管NNM1的源端相连,栅端与电容C2的一端、电阻R1、电阻R2相连,即耗尽型MOS管NNM2的栅端即构成偏置电压B点;电容C1、C2的另一端接地;基准产生模块由MOS管PM2和PM3构成,其中MOS管PM2和MOS管PM3分别栅端和漏端相连,接成二极管形式,其中MOS管PM2的源端接耗尽型MOS管NNM2的源端,作为经过稳压隔离的电源输出(VCC_IN);MOS管PM3的源端与MOS管PM2的漏端相连,作为随机数的基准输出;MOS管PM3的漏端接地。
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