[发明专利]全介质像素式全斯托克斯成像偏振器件有效
| 申请号： | 201610746267.4 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN106154388B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 胡敬佩;王钦华;赵效楠;林雨;朱爱娇;徐铖;曹冰 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋;孙周强 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种全介质像素式全斯托克斯成像偏振器及其制备方法，包括透光基底以及位于基底上的半导体介质层；介质层由超像素单元阵列组成；超像素单元包括0°趋向的线栅结构、45°趋向的线栅结构、90°趋向的介质线栅结构和一个Z型通孔结构单元阵列构成；其中得到的全介质像素式全斯托克斯成像偏振器线偏振片的透过率在1.40μm‑1.60μm接近100%，消光比20dB以上，最高可到70dB；其圆二色性在1.50μm‑1.61μm波段平均在70%以上，在1.53μm处圆二色性最高可达到98.3%。本发明具有波段较宽，结构简单，易于制作的特点，在以后的光学传感系统、先进的纳米光子器件以及集成光学系统中，具有很大的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 像素 斯托 成像 偏振 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种全介质像素式全斯托克斯成像偏振器件，其特征在于：所述全介质像素式全斯托克斯成像偏振器件包括透光基底以及位于透光基底上的介质层；所述介质层由超像素单元阵列组成；所述超像素单元包括三个不同趋向的介质线栅结构和一个手性结构；所述手性结构由Z型通孔结构单元阵列构成；所述介质线栅结构的周期为0.98μm‑1.04μm，占空比为1/4‑1/5；所述手性结构中，Z型通孔结构单元的周期为0.97μm‑1.0μm；所述介质层的厚度为0.21μm ‑0.27μm；所述透光基底为无机氧化物透光基底；所述介质层为半导体介质层；所述介质线栅结构的趋向为0°、45°以及90°。
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