[发明专利]一种SRAM型FPGA器件单粒子反转探测及纠错的电路

摘要

本发明公开一种SRAM型FPGA器件单粒子反转探测及纠错的电路，SRAM型FPGA器件包括SRAM、编程控制模块、地址指针移位寄存器组模块和数据移位寄存器组模块；地址指针移位寄存器组模块和数据移位寄存器组模块分别与SRAM连接，地址指针移位寄存器组模块和数据移位寄存器组模块分别与编程控制模块连接，编程控制模块设有地址计数器并在编程控制模块增加单粒子反转探测工作模式，数据移位寄存器组模块与编程控制模块的回路上设有校验检测模块；本发明利用已经存在的FPGA编程电路，并基于此加入SEU的检测及纠错电路，从而实现了在增加很小的芯片面积及成本的基础上有效的实现抗SEU功能。纠错的时间在第三类的方式中速度很快，大幅降低了器件正常工作受到的单粒子反转影响。

主权项

一种SRAM型FPGA器件单粒子反转探测及纠错的电路，其中SRAM型FPGA器件包括SRAM、编程控制模块、地址指针移位寄存器组模块和数据移位寄存器组模块；其中地址指针移位寄存器组模块和数据移位寄存器组模块分别与SRAM连接，地址指针移位寄存器组模块和数据移位寄存器组模块还分别与编程控制模块连接，其特征在于，所述编程控制模块设有地址计数器并在编程控制模块增加单粒子反转探测工作模式，数据移位寄存器组模块与编程控制模块的连接回路上设有校验检测模块；其中地址计数器用来产生从0到N的数值，编程控制模块在地址指针移位寄存器组中从0位开始，逐位移动地址指针，直到第N位；地址计数器中的数值与其同步；当指针在第n位时，第n位的字线为高，所连的一行SRAM单元被选中，此时能够对这些SRAM进行读和写，其它字线为低；在任何时刻，最多只能有一个字线为高，或者都为低；校验检测模块读取从数据移位寄存器移位过来的数据，这些数据是从选中的一行SRAM单元回读的数据；在进行校验时，基于串行数据算法，对整行数据进行校验。