[发明专利]基础单元、标准单元、标准单元库、后端全定制设计方法、芯片有效

专利信息
申请号: 201610680359.7 申请日: 2016-08-18
公开(公告)号: CN106339532B 公开(公告)日: 2019-05-24
发明(设计)人: 王庆霞;严斌 申请(专利权)人: 杭州旗捷科技有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 湖州金卫知识产权代理事务所(普通合伙) 33232 代理人: 赵卫康
地址: 310012 浙江省杭州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 基础单元、标准单元、标准单元库、后端全定制设计方法、基于该方法制造的芯片,属于集成电路版图设计技术领域。本发明基础单元,至少包括均具有规则形状的GATE层、ACT层、LVNW层、NPULS层和PPLUS层,以及CT层、METAL层;所述GATE层、所述ACT层、所述LVNW层、所述NPULS层和所述PPLUS层的规则形状均需符合工艺设计规则。本发明标准单元,其版图由M个上述基础单元通过不同的Metal布线组成,M为非零整数。本发明标准单元库包括多个不同功能的标准单元。本发明后端全定制设计方法中包括确定标准单元库、基于标准单元的芯片设计、模块版图模拟仿真、版图输出。本发明采用上述后端全定制版图设计方法实现的芯片,设计更为规则、标准,大大优化了版图设计,提高了布图、加工效率,缩短产品上市时间。
搜索关键词: 基础 单元 标准 后端 定制 设计 方法 芯片
【主权项】:
1.一种基础单元,其特征在于,至少包括均具有规则形状的GATE层、ACT层、LVNW层、NPULS层和PPLUS层,以及CT层、METAL层;所述GATE层、所述ACT层、所述LVNW层、所述NPULS层和所述PPLUS层的规则形状均需符合工艺设计规则;所述基础单元具有的GATE层、ACT层、LVNW层、NPULS层和PPLUS层,以所述基础单元高度方向的中线为界呈对称分布,和/或以所述基础单元宽度方向的中线为界呈对称分布。
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