[发明专利]CMOS反相器及应用该CMOS反相器的电子装置有效
申请号: | 201610671927.7 | 申请日: | 2016-08-16 |
公开(公告)号: | CN106330174B | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
发明(设计)人: | 江志雄 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H03K19/0185 | 分类号: | H03K19/0185 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种CMOS反相器,包括第一选择器、第二选择器,以及分别通过栅极连接CMOS反相器输入端的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管,第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管的漏极均连接CMOS反相器的输出端,第一、第三晶体管的源极分别对应连接第一选择器的第一输出端和第二输出端,第二、第四晶体管的源极分别对应连接第二选择器的第一输出端和第二输出端;第一选择器和第二选择器均接入相位相反的第一控制信号和第二控制信号,且均连接所述输入端。采用该CMOS反相器可减少晶体管的劣化、提高器件使用寿命。 | ||
搜索关键词: | cmos 反相器 应用 电子 装置 | ||
【主权项】:
1.一种互补金属氧化物半导体(CMOS)反相器,其特征在于,所述CMOS反相器包括第一选择器和第二选择器、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管,其中:所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管的栅极均连接至所述CMOS反相器的输入端,所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管的漏极均连接至所述CMOS反相器的输出端,所述第一晶体管的源极连接至所述第一选择器的第一输出端,所述第三晶体管的源极连接至所述第一选择器的第二输出端,所述第二晶体管的源极连接至所述第二选择器的第一输出端,所述第四晶体管的源极连接至所述第二选择器的第二输出端;所述第一选择器和所述第二选择器均接入第一控制信号和第二控制信号,所述第一控制信号和所述第二控制信号的相位相反,所述第一选择器和所述第二选择器均电性连接所述CMOS反相器的输入端;当所述第二控制信号为高电平或者所述CMOS反相器的输入端输入高电平信号时,所述第一选择器的第一输出端输出第二控制信号;当所述第一控制信号为高电平或者所述CMOS反相器的输入端输入高电平信号时,所述第一选择器的第二输出端输出第一控制信号;当所述第一控制信号为低电平或者所述CMOS反相器的输入端输入低电平信号时,所述第二选择器的第二输出端输出第一控制信号;当所述第二控制信号为低电平或者所述CMOS反相器的输入端输入低电平信号时,所述第二选择器的第一输出端输出第二控制信号。
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