[发明专利]一种多孔结构的硫电极材料的制备方法在审
申请号: | 201610668836.8 | 申请日: | 2016-08-15 |
公开(公告)号: | CN107768659A | 公开(公告)日: | 2018-03-06 |
发明(设计)人: | 孙绍庆 | 申请(专利权)人: | 福建新峰二维材料科技有限公司 |
主分类号: | H01M4/38 | 分类号: | H01M4/38;H01M4/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 362000 福建省泉*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种多孔结构的硫电极材料的制备方法包括如下步骤制备硫磺菌培养液;制备硫磺和硫磺菌混合培养液;制备多孔结构的硫电极材料,包括将得到的硫磺和硫磺菌混合培养液在真空干燥箱中干燥1‑5h,然后在充满保护气体氩气环境中,以10‑30℃/min的加热速率加热,并在600‑800℃下退火1‑5h,得到多孔结构的硫电极材料。本发明多孔结构可以使金属离子如Li+,Na+和Mg2+等,自由进出多孔结构的孔道,从而增强电池的循环性能;且硫离子固定在已碳化的生物质体硫磺菌中,不能轻易流失,使硫的利用率加大。 | ||
搜索关键词: | 一种 多孔 结构 电极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种多孔结构的硫电极材料的制备方法,其特征在于:所述制备方法包括如下步骤:制备硫磺菌培养液;制备硫磺和硫磺菌混合培养液;制备多孔结构的硫电极材料,包括:将得到的硫磺和硫磺菌混合培养液在真空干燥箱中干燥1‑5h,然后在充满保护气体氩气环境中,以10‑30℃/min的加热速率加热,并在600‑800℃下退火1‑5h,得到多孔结构的硫电极材料。
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