[发明专利]一种用于超级电容器的CuCS纳米棒材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种用于超级电容器的CuCS纳米棒材料及其制备方法，所述CuCS纳米棒材料在铜片上直接生长，Cu、C和S摩尔比为(0.49~0.51)(0.03~0.05)(0.45~0.48)，CuCS纳米棒长度不长于1.5μm，直径30~200nm，CuCS纳米棒材料具有雁电容特性，比电容5.4~6.2F/cm2，循环10000次后比电容保持率大于90%。制备步骤包括以铜片为基底，清洗后在O2气体干燥箱中烘干；放入水平管式炉，分别通入H2S和CH4气体，在反应室中共同与Cu反应，反应结束后将炉温采用阶梯式冷却方式冷却至室温，取出铜片，即可得到附生在基底上的CuCS纳米棒材料。

主权项

一种用于超级电容器的CuCS纳米棒材料的制备方法，其特征在于包括如下步骤：1)以铜片为基底，依次于丙酮、去离子水、稀盐酸、去离子水中超声清洗，去除铜片表面的氧化物和污染物，在气体干燥箱中烘干，烘干过程中在气体干燥箱中通入高纯O2，在铜片表面形成一层氧化铜薄层；2)将步骤1)处理过的铜片放入水平管式炉，进行CVD生长，通过真空泵将反应室抽真空至不高于10Pa，由两个通气管路分别通入H2S和CH4气体，在设定温度下反应一段时间后，将炉温冷却至室温，取出铜片，即可得到附生在基底上的CuCS纳米棒材料；其中步骤2)中通入H2S气体流量为15～20sccm，通入CH4气体流量为10～15sccm；步骤2)所述的在设定温度下反应一段时间，其反应温度为480～520℃，反应时间为20～40min。