[发明专利]存储阵列有效
| 申请号： | 201610628752.1 | 申请日： | 2016-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN106981309B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 赖宗沐;陈志欣;王世辰;柏正豪 | 申请（专利权）人： | 力旺电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26 |
| 代理公司： | 44223 深圳新创友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种存储阵列，存储阵列包括复数个存储分页，每一存储分页包括复数个存储比特组，每一存储比特组包括复数个存储单元。每一存储单元包括浮接栅极模块、控制元件及清除元件。位在同一行的复数个存储比特组耦接至相同的清除线，而位在相异行的复数个存储比特组耦接至相异的复数条清除线。因此存储阵列能够支持比特组操作，且位在相同比特组的存储单元还可共享相同的井区。存储阵列的面积会降低，也能够更有弹性地支持各种操作。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种存储阵列，其特征在于，包括：/n复数个存储分页，每一存储分页包括复数个存储比特组，每一存储比特组包括复数个存储单元，每一存储单元包括：/n浮接栅极模块，包括：/n浮接栅极晶体管，具有第一端、第二端及浮接栅极；/n源极晶体管，具有第一端、第二端及控制端，所述源极晶体管的所述第一端耦接至源极线，所述源极晶体管的所述第二端耦接至所述浮接栅极晶体管的所述第一端，及所述源极晶体管的所述控制端耦接至字符线；及/n比特晶体管，具有第一端、第二端及控制端，所述比特晶体管所述第一端耦接至所述浮接栅极晶体管的所述第二端，所述比特晶体管所述第二端耦接至比特线，及所述比特晶体管所述控制端耦接至所述字符线；/n控制元件，具有基体端、第一端、第二端及控制端，所述控制元件的所述基体端耦接至控制线，所述控制元件的所述第一端耦接至所述基体端，所述控制元件的所述第二端耦接至所述基体端，及所述控制元件的所述控制端耦接至所述浮接栅极；及/n清除元件，具有基体端、第一端、第二端及控制端，所述清除元件的所述第一端耦接至清除线，及所述清除元件的所述控制端耦接至所述浮接栅极；/n其中：/n位在同一行的复数个存储比特组是耦接至相同的清除线；及/n位在相异行的复数个存储比特组是耦接至相异的复数条清除线。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力旺电子股份有限公司，未经力旺电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610628752.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种精准获取LLR信息的应用方法
- 下一篇：半导体存储器装置及其操作方法
