[发明专利]一种用于临海混凝土表面抑菌防腐的四元硫化物半导体光催化材料及制备方法和用途

摘要

本发明公开了一种用于临海混凝土表面抑菌防腐的四元硫化物半导体光催化材料及制备方法和用途。以碱金属氢氧化物、过渡金属(铜)、二元固溶体(Sb₂S₃)和硫单质为原料，水合肼和聚乙二醇400为溶剂，在120‑180℃环境中反应5‑8天，得到四元硫化物半导体材料，化学组成式为：CsCu₃SbS₄。本发明具有合成产率高，操作过程简单，原料简单且成本低，反应条件温和，合成温度低等优点。采用本发明得到的四元硫化物产率可达55％以上，化学纯度高，可用于防腐、抑菌、电池、催化等领域。

主权项

1.一种用于临海混凝土表面抑菌防腐的四元硫化物半导体光催化材料，其特征在于，所述光催化材料的制备方法为：取初始原料CsOH·H2O 1.0 mmol、 Cu 3.0 mmol、 Sb2S3 0.5 mmol和S 2.5 mmol放入水热釜中，再加入85wt%水合肼0.5 mL和聚乙二醇400 2.0 mL，将水热釜置于160 ℃下反应7天；反应结束后，打开水热釜，取出产物，分别用蒸馏水和无水乙醇洗涤2次，得到四元硫化物半导体材料CsCu3SbS4；四元硫化物半导体材料CsCu3SbS4属于单斜晶系，C12/m1空间群，晶胞参数a=12.840(2) Å，b=7.1481(8) Å，c=10.3659(18) Å，α=90°，β=115.49°，γ=90°，V= 858.79(819) Å3 ，Z=4，能隙为 1.57 eV 。