[发明专利]多频段射频功率放大器

摘要

本发明公开了一种多频段射频功率放大器，包括：多个输入匹配网络电路，射频功率放大电路，一个输出匹配网络；射频功率放大电路的放大器采用RFSOI工艺实现且采用堆叠MOS管的方式提高耐压和输出功率；各输入匹配网络的输入端分别通过一个开关连接射频输入信号，各输入匹配网络的输出端分别通过一个开关连接射频功率放大电路的输入端；根据射频输入信号的频率所属频率段的不同并通过各开关选择对应的输入匹配网络，实现多频段射频输入信号的输入；射频功率放大电路的输出端连接输出匹配网络的输入端，输出匹配网络的输出端输出射频输出信号。本发明能大幅度降低芯片面积以及使用成本。

主权项

1.一种多频段射频功率放大器，其特征在于，包括集成于同一芯片上的如下结构：多个输入匹配网络电路，射频功率放大电路，一个输出匹配网络；所述射频功率放大电路的放大器采用RFSOI工艺实现且采用堆叠MOS管的方式提高耐压和输出功率；各所述输入匹配网络的输入端分别通过一个开关连接射频输入信号，各所述输入匹配网络的输出端分别通过一个开关连接所述射频功率放大电路的输入端；根据所述射频输入信号的频率所属频率段的不同并通过各所述开关选择对应的所述输入匹配网络，实现多频段射频输入信号的输入；所述射频功率放大电路的输出端连接所述输出匹配网络的输入端，所述输出匹配网络的输出端输出射频输出信号；所述射频功率放大电路包括第一NMOS管，所述第一NMOS管作为放大器，所述第一NMOS管的栅极作为所述射频功率放大电路的输入端，所述第一NMOS管的源极接地；在所述第一NNOS管的漏极和所述射频功率放大电路的输出端之间堆叠有多个第二NMOS管，各所述第二NMOS管之间通过源极和漏极串联在一起，各所述第二NMOS管的栅极分别连接直流偏置电压；所述第一NMOS管和各所述第二NMOS管都形成于SOI衬底上；在所述射频功率放大电路的输出端和正电源电压之间连接有扼流电感；各所述第二NMOS管的栅极的直流偏置电压由连接在正电源电压和地之间的电阻串提供，沿着所述第一NMOS管的漏极到所述射频功率放大电路的输出端的方向上，各所述第二NMOS管的栅极的直流偏置电压依次增加；在所述第一NMOS管的栅极和所述射频功率放大电路的输出端之间串联由一个电容和一个电阻；所述第一NMOS管的栅极和通过一个电阻连接到第一偏置电压。