[发明专利]230MeV超导回旋加速器避免引出区有害共振的磁极结构有效
| 申请号： | 201610617091.2 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN106132065B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 王川;崔涛;李明;尹蒙;张天爵;吕银龙 | 申请（专利权）人： | 中国原子能科学研究院 |
| 主分类号： | H05H13/00 | 分类号： | H05H13/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 102413 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种230MeV超导回旋加速器避免引出区有害共振的磁极结构，在磁极凸出侧轮廓处开设圆滑过渡的缺口，采用与磁极同材质的导磁材料垫块在所开设的磁极凸出侧缺口位置配合安装；所述导磁材料垫块的内表面与磁极的凸出侧缺口紧配合；导磁材料垫块的外表面轮廓的前后端与磁极的凸出侧缺口前后的轮廓圆滑过渡，并形成避免引出区有害共振所需的反折角。本发明在不增加磁极半径的条件下，降低引出点前轴向共振频率vz，避免在引出点前穿越vz＝1的共振，防止由该共振造成的引出束流轴向品质变差，减小引出区的束流损失，进而减小加速器维护人员所受的辐照剂量。 | ||
| 搜索关键词： | 230 mev 超导 回旋加速器 避免 引出 有害 共振 磁极 结构 | ||
【主权项】：
1.一种230MeV超导回旋加速器避免引出区有害共振的磁极结构，其特征在于：在磁极凸出侧轮廓处开设圆滑过渡的缺口(3)，采用与磁极同材质的导磁材料垫块(2)在所开设的磁极凸出侧缺口(3)位置配合安装；所述导磁材料垫块(2)的内表面与磁极的凸出侧缺口(3)紧配合；导磁材料垫块(2)的外表面轮廓的前后端与磁极的凸出侧缺口(3)前后的轮廓圆滑过渡，并形成避免引出区有害共振所需的反折角。
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