[发明专利]一种磁流变抛光面形误差收敛控制加工方法有效
申请号: | 201610590656.2 | 申请日: | 2016-07-25 |
公开(公告)号: | CN106826401B | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 张学军;李龙响;薛栋林;王旭;张峰 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | B24B1/00 | 分类号: | B24B1/00 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 高燕燕;仇蕾安 |
地址: | 130033 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 本发明提供了一种磁流变抛光面形误差收敛控制加工方法,该方法能够以实际机床性能为基础,操作简单,可控性强,精度和效率高的磁流变抛光面形收敛控制方法。包括如下步骤:针对待加工光学表面的材料,选择磁流变液,并获取磁流变液针对材料的去除函数,对去除函数数值离散化处理得到去除函数矩阵R。在待加工光学表面上选取数据点,建立基于面形的收敛矩阵运算模型。根据驻留时间的约束域,获取初始面形误差的材料最小均匀附加厚度h。在h的基础上,建立面形残差的均方根值作为优化函数,在驻留时间约束域下,利用自适应正则化迭代和正投影最小二乘法,求解使得优化函数最小的驻留时间;根据驻留时间,对待加工光学表面进行磁流变加工。 | ||
搜索关键词: | 一种 流变 抛光 误差 收敛 控制 加工 方法 | ||
【主权项】:
1.一种磁流变抛光面形误差收敛控制加工方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、针对待加工光学表面的材料,选择磁流变液,并获取磁流变液针对所述材料的去除函数,对去除函数数值离散化处理得到去除函数矩阵R;步骤2、在所述待加工光学表面上选取数据点,建立面形误差向量e,采用面形检测方法对所选取的数据点进行检测,得到各数据点上面形误差,组成e的初始值;步骤3、建立基于面形的收敛矩阵运算模型Rt=e,σ≤t≤ω;σ为驻留时间最小值,且σ>0;ω为驻留时间最大值,ω>σ;步骤4、根据驻留时间的约束域[σ、ω],获取初始面形误差的材料最小均匀附加厚度h;h的获取方法为:在所述待加工光学表面上选取驻留点,使用所述磁流变液在每个驻留点处依次驻留最小驻留时间σ,完成后将各数据点处在每次驻留产生的材料去除进行叠加,得到该数据点的总的材料去除,所有数据点的总材料去除组合形成材料去除层,所述材料去除层的峰谷值之差即为材料最小均匀附加厚度h;步骤5、在所述最小均匀附加厚度为h的基础上,建立面形残差的均方根值作为优化函数,在驻留时间约束域下,利用自适应正则化迭代和正投影最小二乘法,求解使得优化函数最小的驻留时间;所述步骤5具体分为如下步骤:s501、所述数据点个数设为M个,则
其中ei为第i个数据点的面型误差值;所述驻留点个数设为N个,则
tj为在第j个驻留点处的驻留时间;
rij为当驻留在第j个驻留点时,去除函数单位时间内对第i个数据点产生的材料去除,j取值范围为1~N,i取值范围为1~M;s502、建立面形残差的均方根公式为:
其中β是正则化因子,ρ是初始面形偏置率;s503、设置迭代次数k的初始值为1;当k的值为1时,随机设置自适应正则化因子的初始值β1;s504、针对第k次迭代,先计算第k次迭代的自适应正则化因子βk,利用无约束的最小二乘即lsqr或其他线性方向求解方法对所述均方根公式求解得到驻留时间向量tklsqr;判断向量tklsqr中每个元素的大小;得到第k次自适应正则化迭代的解为:![]()
是正约束域下求解的驻留时间矢量;tklsqr(n)为向量tklsqr中的第n个元素;tk+(n)为向量tk+中的第n个元素;s505、更新第k+1次迭代的自适应正则化因子βk+1为:
采用s504的方法计算
判断是否满足条件
若不满足则重复s505,则若满足则自适应正则化迭代停止,以
作为最终解步骤6、根据所述驻留时间,对待加工光学表面进行磁流变加工。
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