[发明专利]双金属硫族三元半导体纳米颗粒及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610575997.2 申请日: 2016-07-21
公开(公告)号: CN106276818B 公开(公告)日: 2019-01-29
发明(设计)人: 李桢;姜欣欣 申请(专利权)人: 苏州大学
主分类号: C01B19/00 分类号: C01B19/00;B82Y30/00;A61K49/22;A61K49/08;A61K41/00
代理公司: 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 代理人: 杨慧林
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种双金属硫族三元半导体纳米颗粒和生物相容性的双金属硫族三元半导体纳米颗粒以及其制备方法,所述双金属硫族三元半导体的通式为AxByCZ,其中A是IB族金属元素,如Cu,Ag,0A‑ⅣA族金属元素和镧系元素中的一种,如Mn,Fe,Ni,Ga,In,Ag,Sn,Gd,0A族非金属元素,如S,Se,Te,1≤z≤2。制备方法操作简单,易于推广,产率高,该双金属硫族三元半导体纳米颗粒经过具有生物相容性的高分子材料修饰后可用于光声成像、核磁共振成像及光热治疗等生物医学方面。
搜索关键词: 三元半导体 双金属 硫族 纳米颗粒 制备 生物相容性 金属元素 核磁共振成像 非金属元素 高分子材料 光热治疗 光声成像 生物医学 镧系元素 产率 可用 修饰
【主权项】:
1.一种双金属硫族三元半导体纳米颗粒,其特征在于:所述双金属硫族三元半导体为CuFeSe2;所述双金属硫族三元半导体外包覆有聚乙烯吡咯烷酮。
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