[发明专利]一种晶体振荡器有效

专利信息
申请号: 201610556227.3 申请日: 2016-07-14
公开(公告)号: CN106208965B 公开(公告)日: 2019-04-16
发明(设计)人: 胡俊;舒清明 申请(专利权)人: 合肥格易集成电路有限公司;北京兆易创新科技股份有限公司
主分类号: H03B5/04 分类号: H03B5/04
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 苏培华
地址: 230601 安徽省*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供一种晶体振荡器,包括分别与预设电源相连的等效反相放大器偏置电路和至少一个反相器,晶体振荡器还包括:预设偏置电压提供端;第一PMOS管,栅极与预设偏置电压提供端相连,源极与预设电源相连;第一NMOS管,漏极与第一PMOS管的漏极相连,第一NMOS管的漏极与第一PMOS管的漏极之间具有节点,节点与等效反相放大器偏置电路的输入端相连,第一NMOS管的源极接地;当晶体振荡器与预设无源晶体相连时,第一NMOS管的栅极与预设无源晶体的输入引脚相连,节点和等效反相放大器偏置电路的输入端分别与预设无源晶体的输出引脚相连。本发明可以有效降低晶体振荡器的功耗,并同时极大提高晶体振荡器的抗干扰能力。
搜索关键词: 一种 晶体振荡器
【主权项】:
1.一种晶体振荡器,其特征在于,包括分别与预设电源相连的等效反相放大器偏置电路和至少一个反相器,所述晶体振荡器还包括:预设偏置电压提供端,所述预设偏置电压提供端用于提供预设偏置电压;第一PMOS管,所述第一PMOS管的栅极与所述预设偏置电压提供端相连,所述第一PMOS管的源极与所述预设电源相连;第一NMOS管,所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极相连,所述第一NMOS管的漏极与所述第一PMOS管的漏极之间具有节点,所述节点与所述等效反相放大器偏置电路的输入端相连,所述第一NMOS管的源极接地;当所述晶体振荡器与预设无源晶体相连时,所述第一NMOS管的栅极与所述预设无源晶体的输入引脚相连,所述节点和所述等效反相放大器偏置电路的输入端分别与所述预设无源晶体的输出引脚相连;还包括:第一电阻模块,所述第一电阻模块的一端与所述第一NMOS管的栅极相连,当所述晶体振荡器与所述预设无源晶体相连时,所述第一电阻模块的另一端与所述预设无源晶体的输入引脚相连;第二电阻模块,所述第二电阻模块分别与所述第一PMOS管的漏极和所述节点相连;第三电阻模块,所述第三电阻模块分别与所述第一NMOS管的漏极和所述节点相连;第四电阻模块,当所述晶体振荡器与所述预设无源晶体相连时,所述第四电阻模块分别与所述预设无源晶体的输出引脚和所述等效反相放大器偏置电路的输入端相连。
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