[发明专利]一种促进低噪声放大器的带宽增强的电路及方法有效
| 申请号： | 201610552154.0 | 申请日： | 2016-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN107294502B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 薛泉;秦培;岑鉴文 | 申请（专利权）人： | 香港城市大学 |
| 主分类号： | H03F1/48 | 分类号： | H03F1/48;H03F1/26;H03F3/193;H03F3/20;H03G3/30 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 郭晓宇 |
| 地址： | 中国香*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种促进低噪声放大器的带宽增强的电路及方法。所述电路包括：第一晶体管，所述第一晶体管包括：第一栅极；第一漏极；以及第一源极；第二晶体管，所述第二晶体管包括：第二栅极；第二漏极；以及第二源极‑；其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管组成共源共栅拓扑；以及变压器，其中，变压器嵌入在第二晶体管的第二栅极和第二漏极端子之间。本发明实施通过将变压器嵌入在共栅极晶体管的栅极和漏极之间，将传统的源极‑负反馈共源共栅低噪声放大器延伸到宽增益带宽。这种嵌入的变压器能够引入附加的高频共轭极点对，其能够将增益降落起始点推向更高频率，峰化更高频率增益，进而拓宽放大器增益带宽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 促进 低噪声放大器 带宽 增强 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种促进低噪声放大器的带宽增强的电路，其特征在于，包括：第一晶体管，所述第一晶体管包括：第一栅极；第一漏极；以及第一源极；第二晶体管，所述第二晶体管包括：第二栅极；第二漏极；以及第二源极；其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管组成共源共栅拓扑；以及变压器，其中，所述变压器嵌入在所述第二晶体管的所述第二栅极和所述第二漏极端子之间。
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