[发明专利]电流放大器及发射机有效
申请号: | 201610541511.3 | 申请日: | 2016-07-11 |
公开(公告)号: | CN106357228B | 公开(公告)日: | 2019-03-29 |
发明(设计)人: | 范鐏元;张文华 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | H03F3/343 | 分类号: | H03F3/343;H03F3/24;H03F3/19;H03F3/21;H04B1/04 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例公开了电流放大器及包括所述电流放大器的发射机。其中,本发明公开的一种电流放大器可包括:第一晶体管,该第一晶体管包括:源极,用于接收输入电流的栅极,以及用于接收驱动电流的漏极;第二晶体管,该第二晶体管包括:栅极,源极和漏极;电压电平移位单元,耦接于所述第一晶体管的所述漏极和所述第二晶体管的所述栅极之间,用于提供电压偏移(voltage shift);其中,所述电流放大器在所述第二晶体管的所述漏极产生输出电流。本发明实施例可使电流放大器的直流输出电压通过调节到达期望的最佳值。 | ||
搜索关键词: | 电流放大器 发射机 | ||
【主权项】:
1.一种电流放大器,其特征在于,包括:第一晶体管,该第一晶体管包括:源极,用于接收输入电流的栅极,以及用于接收驱动电流的漏极;第二晶体管,该第二晶体管包括:栅极,源极和漏极;第三晶体管,该第三晶体管包括:漏极,偏置于偏置电压的栅极,以及耦接于所述第一晶体管的所述漏极的源极;电压电平移位单元,耦接于所述第三晶体管的所述漏极和所述第二晶体管的所述栅极之间,用于提供电压偏移;其中,所述电流放大器在所述第二晶体管的所述漏极产生输出电流。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联发科技股份有限公司,未经联发科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610541511.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。