[发明专利]一种宽耐压范围的自适应基准电路、芯片及通信终端有效

专利信息
申请号: 201610517824.5 申请日: 2016-06-30
公开(公告)号: CN106569533B 公开(公告)日: 2020-08-25
发明(设计)人: 李艳丽 申请(专利权)人: 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 北京汲智翼成知识产权代理事务所(普通合伙) 11381 代理人: 陈曦;杜梁缘
地址: 300457 天津市滨海*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种宽耐压范围的自适应基准电路、芯片及通信终端。该自适应基准电路包括偏置电路、基准电压产生电路、动态分压器控制电路和动态分压器;其中偏置电路为基准电压产生电路提供偏置电流;基准电压产生电路根据偏置电流,利用电阻产生基准电压;动态分压器控制电路连接动态分压器,为动态分压器提供偏置电压;动态分压器设置在偏置电路的PMOS管和NMOS管之间;偏置电压随着电源电压的变动而发生变化,使动态分压器所承担的电压相应变化,进而保证误差放大器中的晶体管工作在标称电压范围内。
搜索关键词: 一种 耐压 范围 自适应 基准 电路 芯片 通信 终端
【主权项】:
一种宽耐压范围的自适应基准电路,包括偏置电路和基准电压产生电路,其特征在于还包括动态分压器控制电路和动态分压器;所述偏置电路为所述基准电压产生电路提供偏置电流;所述基准电压产生电路根据所述偏置电流,利用电阻产生基准电压;所述动态分压器控制电路连接所述动态分压器,为所述动态分压器提供偏置电压;所述动态分压器设置在所述偏置电路的PMOS管和NMOS管之间;所述偏置电压随着电源电压的变动而发生变化,使所述动态分压器所承担的电压相应变化,进而保证所述误差放大器中的晶体管工作在标称电压范围内。
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