[发明专利]一种基于掩模板的集成电路基板二次曝光方法

摘要

本发明属于半导体技术领域，公开了一种基于掩模板的集成电路基板二次曝光方法，包括：S1选取掩模板；S2在所述掩模板上选定两个或三个点作为测量对位标记点并进行标记；S3对集成电路基板进行一次曝光；S4基于选定的两个或三个测量对位标记点对所述掩模板进行对准操作；S5对集成电路基板进行二次曝光。这样，在对集成电路基板进行了一次曝光之后，根据基于获取的坐标数据对位进行对准操作，之后再进行二次曝光，有效节约了二次曝光过程中对准操作的时间，加快曝光效率，提升产能。

主权项

1.一种基于掩模板的集成电路基板二次曝光方法，其特征在于，所述集成电路基板二次曝光方法中包括：S1选取掩模板；S2在所述掩模板上选定两个或三个点作为测量对位标记点并进行标记；S3对集成电路基板进行一次曝光；S4基于选定的两个或三个测量对位标记点对所述掩模板进行对准操作；S5对集成电路基板进行二次曝光；在步骤S2，在所述掩模板上选定两个点作为测量对位标记点并进行标记中，具体包括：S21任意选定所述掩模板的两个角；S22在选定的两个角上分别选定一个点作为测量对位标记点并进行标记；S23对所述两个测量对位标记点的坐标进行量测，获取其坐标数据；S24基于所述两个测量对位标记点的坐标数据生成准直文件；在步骤S2，在所述掩模板上选定三个点作为测量对位标记点并进行标记中，具体包括：S25任意选定所述掩模板的三个角；S26在选定的三个角上分别选定一个点作为测量对位标记点并进行标记；S27对所述三个测量对位标记点的坐标进行量测，获取其坐标数据；S28基于所述三个测量对位标记点的坐标数据生成准直文件；在步骤S4，基于选定的两个测量对位标记点对所述掩模板进行对准操作中，具体包括：执行步骤S24中生成的准直文件，利用所述准直文件中包含的两个测量对位标记点的坐标数据对所述掩模板进行对准操作；在步骤S4，基于选定的两个或三个测量对位标记点对所述掩模板进行对准操作中，具体包括：执行步骤S28中生成的准直文件，利用所述准直文件中包含的三个测量对位标记点的坐标数据对所述掩模板进行对准操作。