[发明专利]一种降低高浓度镉污染下水稻籽粒镉含量的施硅方法在审
| 申请号： | 201610503088.8 | 申请日： | 2016-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN106105926A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 蔡一霞;张世浩;蔡昆争;黄飞 | 申请（专利权）人： | 华南农业大学 |
| 主分类号： | A01G16/00 | 分类号： | A01G16/00;A01G7/06 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 裘晖 |
| 地址： | 510642 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种降低高浓度镉污染下水稻籽粒镉含量的施硅方法，属于农产品重金属污染防治技术领域。通过本发明的方法施用硅，在高浓度镉污染土壤中(土壤镉浓度为60mg/kg)，于水稻生长的拔节期一次施用163kg/hm2可溶性硅酸盐(以有效成分SiO2计)，其施用效果与不施硅(对照)相比，精米中镉浓度大幅度降低，降幅达40.9％，拔节期施硅效果显著高于移栽期、分蘖期、抽穗期的施硅效果，而且水稻产量也有明显地提高，提高幅度达10.5％。本发明的在高浓度镉污染下水稻施硅方法(主要指施硅时期)，不仅具有科学性，而且具有生产的可操作性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 浓度 污染 水稻 籽粒 含量 方法 | ||
【主权项】：
一种降低高浓度镉污染下水稻籽粒镉含量的施硅方法，其特征在于包括如下步骤：在高浓度镉污染稻田中，于拔节期一次施用可溶性硅酸盐。
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