[发明专利]集成的湿度传感器和多单元气体传感器及其制造方法

摘要

本发明提供了一种集成的湿度传感器和多单元气体传感器及其制造方法，其利用传统的低成本的半导体工艺技术在标准的硅片上制造出一种特殊的结构，可以同时测量气体和湿度。利用本发明的应用中，使用者通过分析可以用湿度数据对气体的数据进行修正，从而提高气体的测量精度，降低成本，体积和功耗。

主权项

1.一种集成的湿度传感器和多单元气体传感器的制造方法，其特征在于，包括：加热电阻层图形制造步骤：在硅片上制造出第一金属图形层作为加热电阻层图形；气敏电阻制造步骤：在加热电阻层图形上制造出气敏电阻；湿敏电容制造步骤：制造出湿敏电容；封装步骤：进行封装；所述加热电阻层图形制造步骤，包括：步骤A：在硅片上淀积第一氧化硅薄膜层，在第一氧化硅薄膜层上淀积第一金属薄膜层；步骤B：在气敏传感器单元的制造区域中，进行光刻和干法刻蚀，把第一金属薄膜层刻出第一金属图形层作为加热电阻层图形；在湿敏传感器单元的制造区域中，刻蚀全部第一金属薄膜层；所述气敏电阻制造步骤，包括：步骤C：在第一金属薄膜层及暴露的第一氧化硅薄膜层上淀积氮化硅薄膜层；进行光刻和干法刻蚀，在气敏传感器单元的制造区域中，在氮化硅薄膜层上开出第一接触孔，第一接触孔把下面的第一金属薄膜层暴露出来；在氮化硅薄膜层上淀积第二金属薄膜层；在有第一接触孔的地方，第二金属薄膜层覆盖第一接触孔，并与第一接触孔底部的第一金属薄膜层连接；步骤D：在第二金属薄膜层上面淀积第三金属薄膜层，第三金属薄膜层完全覆盖下面的第二金属薄膜层，并电连接第二金属薄膜层；步骤E：进行光刻和干法刻蚀，把第三金属薄膜层刻蚀出第三金属图形层，刻蚀停止在第二金属薄膜层上；步骤F：进行光刻和干法刻蚀，把第二金属薄膜层刻蚀出第二金属图形层，刻蚀停止在氮化硅薄膜层上；使部分第二金属薄膜层和全部第三金属薄膜层裸露出来；在第二金属薄膜层和第三金属薄膜层上淀积第二氧化硅薄膜层，第二氧化硅薄膜层完全覆盖第三金属薄膜层；步骤G：涂布第一光刻胶层，做光刻以在气敏传感器单元制造区域中做出第二接触孔；刻蚀第二接触孔下的第二氧化硅薄膜层，刻蚀停止在氮化硅薄膜层上；在第一光刻胶层上面淀积第一金属氧化物薄膜层，第一金属氧化物薄膜层采用气敏材料；使用溶剂把第一光刻胶层去除，剥离第一光刻胶层上面的第一金属氧化物薄膜层，留下来的第一金属氧化物薄膜层覆盖第二接触孔，形成第一气敏电阻；步骤H：进行真空烘烤。