[发明专利]一种功率器件的失效定位方法在审
| 申请号： | 201610470513.8 | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN107544014A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 沈立;程玉华 | 申请（专利权）人： | 上海北京大学微电子研究院 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;G01R31/02;G01J5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率器件的失效分析技术领域，是一种功率器件的失效定位方法。漏电流增大是功率器件失效的主要电学表现形式之一，会大幅度减小器件的使用寿命。本发明提供了一种功率器件的漏电流定位方法。方法包括对失效功率器件样本进行开封；将开封后的功率器件置于载物台上；固定并调节红外热成像仪，使其显示屏刚好容纳芯片；对功率器件进行电压偏置，找到热点最清晰的偏置电压；对功率器件施加恒定的上述偏置电压，获取该偏置电压下的芯片表面热像图；将上述热像图与芯片物理结构图叠加处理，以准确定位异常漏电流。该方法实施便捷，能精确捕捉热点以及定位失效位置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 失效 定位 方法 | ||
【主权项】：
一种功率器件的失效定位方法，其特征在于，包括：对失效功率器件样本进行开封；将开封后的功率器件置于载物台上；固定并调节红外热成像仪，使其显示屏刚好容纳芯片；对功率器件进行电压偏置，找到热点最清晰的偏置电压；对功率器件施加恒定的上述偏置电压，获取该偏置电压下的芯片表面热像图；将上述热像图与芯片物理结构图叠加处理，以准确定位异常漏电流。
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