[发明专利]一种多坩埚液相外延SiC晶体的方法有效
| 申请号： | 201610463988.4 | 申请日： | 2016-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN105970286B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 朱灿;吕宇君;柏文文;窦文涛 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B19/06 | 分类号： | C30B19/06 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司37205 | 代理人： | 赵斌,苗峻 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于新材料加工技术领域，发明人提供了一种多坩埚液相外延SiC晶体的方法，其采用了一种多坩埚的承载装置，通过石墨绳的牵制让SiC籽晶固定在坩埚底部浸渍在熔融液中生长，由此既能给SiC晶体的生长提供了相对稳定的生长环境，通过熔融液的流动易于将C向底部SiC籽晶附近部分供给，同时又进行多坩埚生长提高生产效率，解决了溶液法中存在的生长环境不稳定、生长速率低等一系列难题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 坩埚 外延 sic 晶体 方法 | ||
【主权项】：
一种多坩埚液相外延SiC晶体的方法，其特征在于：采用一种多坩埚的承载装置实现，该多坩埚的承载装置结构如下：包括腔体(1)，所述腔体(1)内设置有若干个坩埚(2)，所述坩埚(2)底部外侧连接有石墨绳(3)，所述的坩埚(2)底部连接有SiC籽晶(4)，所述坩埚为石墨坩埚；所述多坩埚液相外延SiC晶体的方法，具体步骤为：将SiC籽晶固定在坩埚底部，并将Si原料置于坩埚内，之后将坩埚均匀放置在腔体内，并将每个坩埚底部连接的石墨绳聚集在一起置于腔体外，之后密闭腔体，并将腔体置于常规液相法中常规晶体生长装置中，按照现有液相外延生长SiC晶体的方法调整参数；待SiC晶体生长结束后，拉动石墨绳，使每只坩埚倒置，SiC晶体反转到顶部从而实现与熔融液的分离。
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