[发明专利]一种混沌振荡器及电流处理方法有效
申请号: | 201610461182.1 | 申请日: | 2016-06-22 |
公开(公告)号: | CN106067763B | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 耿靖斌;丁玲;孔阳阳;龚宗跃 | 申请(专利权)人: | 大唐微电子技术有限公司;大唐半导体设计有限公司 |
主分类号: | H03B5/12 | 分类号: | H03B5/12 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 李红爽;凌齐文 |
地址: | 100094*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施方式提供一种混沌振荡器及电流处理方法,其中,所述混沌振荡器包括预设数量的混沌延时单元,所述预设数量的混沌延时单元依次级联并构成封闭回路,所述混沌延时单元包括乘法器电路、第一分支电路、第二分支电路以及吸引盆电路。本发明实施方式提供的一种混沌振荡器及电流处理方法,符合能够集成、具备高速率的混沌振荡器的要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 混沌 振荡器 电流 处理 方法 | ||
【主权项】:
1.一种混沌振荡器,包括预设数量的混沌延时单元,所述预设数量的混沌延时单元依次级联并构成封闭回路,其特征在于,所述混沌延时单元包括乘法器电路、第一分支电路(K1,K2)、第二分支电路(K3)以及吸引盆电路;所述乘法器电路包括第一场效应管、第二场效应管以及第三场效应管,其中,所述第一场效应管的栅极分别与所述第二场效应管的栅极以及所述第三场效应管的栅极相连,所述第一场效应管的漏极与栅极相短接,所述第一场效应管、第二场效应管以及第三场效应管的源极均接地,所述第一场效应管的漏极引入输入电流,所述第二场效应管的漏极以及所述第三场效应管的漏极均引入预设参考电流,所述第二场效应管的漏极与所述第一分支电路(K1,K2)的输入端相连,所述第三场效应管的漏极与所述第二分支电路(K3)的输入端相连;所述第一分支电路(K1,K2)和所述第二分支电路(K3)的输出端均与所述吸引盆电路的输入端相连;其中,所述第一分支电路(K1,K2)中包括串联的第一镜像电流源电路和第二镜像电流源电路;所述第一镜像电流源电路的输入端与所述乘法器电路的第二场效应管的漏极相连,所述第二镜像电流源电路的输出端与所述吸引盆电路的输入端相连;所述第二镜像电流源电路中的两个场效应管为P沟道型场效应管,所述第一镜像电流源电路中的两个场效应管为N沟道型场效应管;所述第一场效应管、第二场效应管和第三场效应管均为N沟道型场效应管;所述第二分支电路中包括第三镜像电流源电路,所述第三镜像电流源电路中包括两个P沟道型场效应管,所述第三镜像电流源电路的输入端与所述乘法器电路的第三场效应管的漏极相连,所述第三镜像电流源电路的输出端与所述吸引盆电路的输入端相连;所述第一场效应管、第二场效应管和第三场效应管,按照预设倍数M1:M2:M3进行放大,所述预设倍数为1.414<M1:M2<2,1.414<M1:M3<2,M2:M3=1:1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大唐微电子技术有限公司;大唐半导体设计有限公司,未经大唐微电子技术有限公司;大唐半导体设计有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610461182.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。