[发明专利]基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法

摘要

本发明公开了一种基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法。所述方法包括：1.选区外延掩模设计；2.选取外延掩模图形制作；3.选区外延；4.激光器腔体结构制作；5.电隔离制作；6.电极制作；7.解理得到管芯激光器。本发明通过一次选区外延同时定义锁模激光器的增益区、饱和吸收区和有源无源腔比例，通过碰撞锁模的原理压缩脉冲宽度、提高锁模频率，通过无源外腔的技术降低脉冲重频的时域抖动，最终实现窄脉冲的稳定重频(按应用需求可高可低)输出。

主权项

一种基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法，包括如下步骤：步骤1：根据所需要的锁模脉冲宽度以及重复频率，设计预定尺寸和预定介质材料的选择区域外延掩模条图形，所述预定尺寸包括掩模条的长度、宽度、沉积厚度、掩模和非掩模区域的长度比例和掩模的倾斜角度；步骤2：在III‑V族半导体衬底上沉积预定厚度的介质层掩模。步骤3：将选择区域外延掩模条图形转移到III‑V族半导体衬底上，形成选区介质掩膜；步骤4：选用预定的外延生长温度、腔室气压以及外延气氛分压，按照需要的光脉冲波长，带着选区介质掩模，外延生长全量子阱结构；步骤5：全息曝光，制作波导外腔光栅结构；步骤6：去掉选区外延用的介质层掩模后，再外延上接触层；步骤7：光刻波导掩模，刻蚀激光器脊波导结构；腐蚀隔离沟；沉积钝化介质层，制作P接触和N接触电极；解理，完成激光器的制作。