[发明专利]一种高分散镍表面修饰的等级孔MFI纳米片的制备方法及其应用有效

专利信息
申请号: 201610418304.9 申请日: 2016-06-13
公开(公告)号: CN106076402B 公开(公告)日: 2018-11-16
发明(设计)人: 李保山;龚鹏宇 申请(专利权)人: 北京化工大学
主分类号: B01J29/46 分类号: B01J29/46;B01J35/10;C07C13/50;C07C5/10;C01B39/04;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 北京五月天专利商标代理有限公司 11294 代理人: 王天桂
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了掺杂不同含量镍的具有等级孔结构的MFI型沸石纳米片(Ni‑MFI‑NSs)的制备方法及其应用,以长链双季铵盐表面活性剂为微孔‑介孔双功能结构导向剂,一步合成了不同含量过渡金属镍掺杂的等级孔MFI纳米片(Ni‑MFI‑NSs),其目的在于保证材料具有相互连通的微孔介孔等级结构的同时,向纳米片骨架上掺杂过渡金属镍,得到兼具酸性和金属特性的双功能催化材料,使其在催化反应中表现出良好的催化活性、高选择性和较长的寿命。
搜索关键词: 一种 分散 表面 修饰 等级 mfi 纳米 制备 方法 及其 应用
【主权项】:
1.一种高分散镍表面修饰的等级孔MFI纳米片,其特征在于,由超薄MFI纳米片层层堆叠而成,堆叠厚度为15~100 nm,MFI纳米片在晶体学b轴方向上的厚度为2.3 nm或3.0 nm,层间距构成的介孔孔隙范围为3.0~3.6 nm;其制备方法包括如下步骤:将含镍的可溶性盐、硅源、无机碱、水、结构导向剂混合得到均匀凝胶,其摩尔配比为结构导向剂: 硅源所含有的或能够生成的SiO2 = 0.08‑0.12:1,无机碱:硅源所含有的或能够生成的SiO2 = 0.20‑0.28:1,水: 硅源所含有的或能够生成的SiO2 = 35‑55:1,镍:硅源所含有的或能够生成的SiO2= 0.02‑0.08:1,在50~70 ℃水浴条件下,连续搅拌3~4 h后转移入反应罐中,在150℃条件下晶化72~120 h,将晶化后的产物经过抽滤、洗涤、烘干、焙烧得到。
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