[发明专利]用于HVDC的阀门性能测试的合成测试电路有效

专利信息
申请号: 201610414684.9 申请日: 2016-06-13
公开(公告)号: CN106257296B 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: 白承泽;鲁义哲;郑在宪;李镇熙;郑容昊 申请(专利权)人: LS产电株式会社;釜庆大学校产学协力团
主分类号: G01R31/327 分类号: G01R31/327;G01R31/333
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 崔炳哲
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 公开了一种用于HVDC的阀门性能测试的合成测试电路。该合成测试电路包括谐振电路,该谐振电路被配置为包括用于测试逆变器模式的操作的第一测试阀门和用于测试整流器模式的操作的第二测试阀门。该合成测试电路包括电源(P/S),该电源被配置为给谐振电路提供工作电压。该合成测试电路包括DC/DC转换器,该DC/DC转换器被配置为对谐振电路的DC偏置电流进行分流。第一测试阀门是具有正DC电流偏置的逆变器单元。第二测试阀门是具有负DC电流偏置的整流器单元。
搜索关键词: 用于 hvdc 阀门 性能 测试 合成 电路
【主权项】:
1.一种用于HVDC的阀门性能测试的合成测试电路,包括:谐振电路,其被配置为包括用于测试逆变器模式的操作的第一测试阀门和用于测试整流器模式的操作的第二测试阀门;电源(P/S),其被配置为给所述谐振电路提供工作电压;以及DC/DC转换器,其被配置为对所述谐振电路的DC偏置电流进行分流,所述第一测试阀门和所述第二测试阀门分别包括多个子模块,所述子模块分别包括多个IGBT和电容器,流过设置于所述第一测试阀门的子模块的电流包括正DC电流偏置,流过设置于所述第二测试阀门的子模块的电流包括负DC电流偏置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LS产电株式会社;釜庆大学校产学协力团,未经LS产电株式会社;釜庆大学校产学协力团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610414684.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top