[发明专利]导电性构件、处理盒和电子照相设备有效
| 申请号： | 201610407186.1 | 申请日： | 2016-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN106249564B | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 漆原圣平;有村秀哉 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | G03G15/02 | 分类号： | G03G15/02;G03G15/08 |
| 代理公司： | 北京魏启学律师事务所 11398 | 代理人： | 魏启学 |
| 地址： | 日本东京都大*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及导电性构件、处理盒和电子照相设备。提供一种电子照相用导电性构件，其有助于在各种环境下稳定形成高品质电子照相图像。所述导电性构件具有导电性基体、基体上的弹性层和覆盖弹性层的表面的导电性表面层，其中导电性表面层包含其中聚氨酯树脂和硅氧化物以非相分离状态存在的基质，并且所述基质在该基质的红外吸收光谱中的800cm‑1以上且950cm‑1以下的波长区域中具有源自聚硅氮烷的Si‑N键的峰。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性 构件 处理 电子 照相 设备 | ||
【主权项】：
1.一种电子照相用导电性构件，其包括：导电性基体；所述基体上的弹性层；和覆盖所述弹性层的表面的导电性表面层，其特征在于，所述导电性表面层包含以非相分离状态存在有聚氨酯树脂和硅氧化物的基质，和所述基质在所述基质的红外吸收光谱中的800cm‑1以上且950cm‑1以下的波长区域中具有源自聚硅氮烷的Si‑N键的峰。
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