[发明专利]一种用于静态随机存取存储器的自定时电路及静态随机存取存储器在审
| 申请号： | 201610392068.8 | 申请日： | 2016-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN107464583A | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 史增博;方伟;陈双文 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/417 | 分类号： | G11C11/417;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种用于静态随机存取存储器的自定时电路及静态随机存取存储器，所述自定时电路包括第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管，其中所述第一PMOS晶体管的源极连接高电平，所述第一PMOS晶体管的漏极与所述第一NMOS晶体管的漏极相连，所述第一NMOS晶体管的源极与所述第二NMOS晶体管的漏极相连，所述第二NMOS晶体管的源极连接低电平，所述三个晶体管的栅极分别连接不同的信号输入端，所述第一PMOS晶体管的漏极与所述第一NMOS晶体管的漏极的连接节点连接信号输出端，所述信号输出端连接至一电容。本发明的自定时电路不仅能够反映工艺的变化，还能够反映阵列尺寸的变化，使各种大小的静态随机存取存储器都能够达到很好的稳定性和成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 静态 随机存取存储器 定时 电路 | ||
【主权项】：
一种用于静态随机存取存储器的自定时电路，其特征在于，包括：第一PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管，其中所述第一PMOS晶体管的源极连接高电平，所述第一PMOS晶体管的漏极与所述第一NMOS晶体管的漏极相连，所述第一NMOS晶体管的源极与所述第二NMOS晶体管的漏极相连，所述第二NMOS晶体管的源极连接低电平，所述三个晶体管的栅极分别连接不同的信号输入端，所述第一PMOS晶体管的漏极与所述第一NMOS晶体管的漏极的连接节点连接信号输出端，所述信号输出端连接至一电容。
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