[发明专利]一种显影的方法及装置有效
申请号: | 201610390340.9 | 申请日: | 2016-06-02 |
公开(公告)号: | CN105842999B | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 查长军;黎敏;吴洪江 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F7/30 | 分类号: | G03F7/30 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 滕一斌 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种显影的方法及装置,属于显示领域。所述方法包括:获取第一位置的曝光间距变化量,所述第一位置是第二位置在掩膜板上的投射位置,所述第二位置是基板上的一位置;根据所述曝光间距变化量,确定向所述第二位置喷洒显影液的流量;根据所述流量,向所述第二位置喷洒显影液,所述显影液用于刻蚀位于所述第二位置处的有机材料。所述装置包括:获取模块、确定模块和喷洒模块。本发明能够均一各图形线宽。 | ||
搜索关键词: | 一种 显影 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种显影的方法,其特征在于,所述方法包括:获取第一位置的曝光间距变化量,所述第一位置是第二位置在掩膜板上的投射位置,所述第二位置是基板上的一位置,所述第一位置的曝光间距变化量是所述第一位置的曝光间距与所述掩膜板边缘的曝光间距之间的差值,所述基板上有使用所述掩膜板进行曝光后的有机材料;根据所述曝光间距变化量,确定向所述第二位置喷洒显影液的流量;根据所述流量,向所述第二位置喷洒显影液,所述显影液用于刻蚀位于所述第二位置处的有机材料。
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