[发明专利]双频带紧凑型高带外抑制滤波器

摘要

本发明公开了一种双频带紧凑型高带外抑制滤波器，包括层叠设置的上介质基板、第二金属层、以及下介质基板；所述第二金属层上形成有呈扇形的第一耦合缝隙；所述下介质基板的下表面设置有第一金属层以及与该第一金属层电连接的第一馈电微带线；所述下介质基板上开设有多个第一金属化通孔；所述第一金属层呈第一等腰三角形状，该多个第一金属化通孔沿着该第一等腰三角形的底边上的高分布，并在其中两个相邻的第一金属化通孔之间形成第二耦合缝隙；所述上介质基板的上表面设置有第三金属层以及与该第三金属层电连接的第二馈电微带线。本发明提供的双频带紧凑型高带外抑制滤波器具有占用面积极小以及带外抑制性能高的有益效果。

主权项

1.一种双频带紧凑型高带外抑制滤波器，其特征在于，包括层叠设置的上介质基板、第二金属层、以及下介质基板；所述第二金属层上形成有呈扇形的第一耦合缝隙；所述下介质基板的下表面设置有第一金属层以及与该第一金属层电连接的第一馈电微带线；所述下介质基板上开设有多个第一金属化通孔；所述第一金属层呈第一等腰三角形状，该多个第一金属化通孔沿着该第一等腰三角形的底边上的高分布，并从所述多个第一金属化通孔中选取两个相邻的第一金属化通孔，以在所述两个相邻的第一金属化通孔之间形成第二耦合缝隙；所述上介质基板的上表面设置有第三金属层以及与该第三金属层电连接的第二馈电微带线；所述上介质基板上开设有多个第二金属化通孔，所述第三金属层呈第二等腰三角形状，该多个第二金属化通孔沿着该第二等腰三角形的底边上的高分布，并从所述多个第二金属化通孔中选取两个相邻的第二金属化通孔，以在所述两个相邻的第二金属化通孔之间形成第三耦合缝隙；所述第一金属层、第二金属层以及该多个第一金属化通孔围成位于该多个第一金属化通孔一侧的第一八分之一模谐振腔以及位于该多个第一金属化通孔的另一侧的第二八分之一模谐振腔；所述第三金属层、第二金属层以及该多个第二金属化通孔围成位于该多个第二金属化通孔一侧的第三八分之一模谐振腔以及位于该多个第二金属化通孔另一侧第四八分之一模谐振腔；该第二耦合缝隙用于将所述第一八分之一模谐振腔以及第二八分之一模谐振腔耦合连接，该第三耦合缝隙用于将第三八分之一模谐振腔以及第四八分之一模谐振腔耦合连接，该第一耦合缝隙用于将该第一八分之一模谐振腔以及第四八分之一模谐振腔耦合连接。