[发明专利]一种中空六元环状羟基氧化钴纳米材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201610382883.6 | 申请日： | 2016-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN107445213B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 陈光文;陈会会;杨梅;陶莎;任明月 | 申请（专利权）人： | 中国科学院大连化学物理研究所 |
| 主分类号： | C01G51/04 | 分类号： | C01G51/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 周莹;毛薇 |
| 地址： | 116023 *** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种中空六元环状羟基氧化钴纳米材料及其制备方法，属于无机材料领域。该中空六元环状羟基氧化钴的六条边的长度均为50‑150nm，纵向厚度为10‑20nm，壁厚为20‑30nm，其制备方法具体过程如下：(1)将钴盐水溶液和强碱水溶液并流滴入三口烧瓶中，在惰性气氛及搅拌条件下反应一定时间；(2)撤掉保护气，加入一定量的强氧化剂，继续陈化；(3)陈化结束后所得悬浊液经过滤、洗涤、干燥，得到一种中空六元环状羟基氧化钴纳米材料。本发明具有工艺流程简单、反应条件温和，易大规模制备等优点，所得产品粒度分布窄、形貌可控、重现性好，有望在超级电容器、锂离子电池及催化等领域得到应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中空 环状 羟基 氧化钴 纳米 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种中空六元环状羟基氧化钴纳米材料，其分子式为CoOOH，该中空六元环状羟基氧化钴的六条边的长度均为50‑150nm，纵向厚度为10‑20nm，壁厚为20‑30nm。
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