[发明专利]一种在CMOS标准工艺下的生物化学传感器有效
| 申请号： | 201610378981.2 | 申请日： | 2016-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN107449812B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 薛李荣;孙伟;朱春蓉 | 申请（专利权）人： | 张家港万众一芯生物科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 杨燕 |
| 地址： | 215614 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在CMOS标准工艺下的生物化学传感器，包括底座、离子敏感场效应晶体管、金属层、接触层、电极；离子敏感场效应晶体管设置在底座上；晶体管包括在CMOS多晶硅层形成的多晶硅沟道，多晶硅沟道两端分别连接源极和漏极，源极和漏极再通过接触层与金属层连接；多晶硅沟道的多晶硅沟道区域暴露出来接触电解质溶液；电极接触电解质溶液，为多晶硅沟道提供栅极电压。本发明的多晶硅传感器具有很高的灵敏度，采用CMOS工艺大幅提高传感器的重复性，降低了器件误差，降低生产成本。本发明的微型传感器很适合环境物联网，农业物联网，及生物检测等广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmos 标准 工艺 生物化学 传感器 | ||
【主权项】：
一种在CMOS标准工艺下的生物化学传感器，其特征在于，包括底座、离子敏感场效应晶体管、金属层、接触层、电极；所述离子敏感场效应晶体管设置在所述底座上；所述晶体管包括在CMOS多晶硅层形成的多晶硅沟道；所述多晶硅沟道两端分别连接源极和漏极；所述源极和漏极通过接触层与金属层连接；所述多晶硅沟道区域暴露出来接触电解质溶液；所述电极接触电解质溶液，为所述多晶硅沟道提供栅极电压。
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