[发明专利]一种二维纳米片层MoS2垂直结构阻变器件

摘要

一种二维纳米片层MoS₂垂直结构阻变器件，由氧化硅片衬底、Ti粘附层、下电极、阻变层、上电极和上电极SiO₂保护层组成垂直结构，其中阻变层为具有“三明治夹心”层状结构的二维纳米片层MoS₂，各层厚度分别为：Ti粘附层2‑5nm、下电极50‑200nm、二维纳米片层MoS₂0.65‑10nm、上电极50‑200nm、上电极SiO₂保护层5‑10nm。本发明的优点是：1)该阻变器件采用二维纳米片层MoS₂作为阻变存储器的阻变层，扩展了阻变存储器中的介质层材料体系，填补了二维纳米片层MoS₂在阻变存储器中应用的空白；2)该阻变器件为单纯的垂直叠层结构，制作简单、成本低廉并且易于集成。

主权项

一种二维纳米片层MoS₂垂直结构阻变器件，其特征在于：由氧化硅片衬底、Ti粘附层、下电极、阻变层、上电极和上电极SiO₂保护层组成垂直结构，其中阻变层为具有“三明治夹心”层状结构的二维纳米片层MoS₂，各层厚度分别为：Ti粘附层2‑5nm、下电极50‑200nm、二维纳米片层MoS₂0.65‑10nm、上电极50‑200nm、上电极SiO₂保护层5‑10nm。