[发明专利]可调薄膜体声波谐振器和滤波器

摘要

本发明提供了可调薄膜体声波谐振器和滤波器，涉及到与半导体压电结构相关的结特性，通过调整施加的直流偏压进而改变具有受控掺杂浓度的半导体压电结构使谐振器的中心频率或带宽可调，以形成微波应用中可调微波声学滤波器和可调振荡器。

主权项

1.一种用于形成微波应用中可调微波声学滤波器和可调振荡器的可调薄膜体声波谐振器TFBAR，其特征是包括了：‑ 至少一个具有基片厚度的基片；‑ 具有声波隔离区域厚度的声波隔离区；‑ 具有底部支撑膜厚度的底部支撑膜；‑ 具有下电极材料和下电极厚度的下电极；‑ 至少一个具有第一压电层厚度的第一压电层，所述第一压电层是具有第一导电类型和掺杂到第一掺杂浓度的压电半导体；‑ 具有上电极材料和上电极厚度的上电极，其中，所述第一压电层夹在所述下电极和所述上电极之间并包含了具有第一压电层耗尽区厚度的第一压电层耗尽区和具有第一压电层中立区厚度的第一压电层中立区，第一压电层耗尽区形成了第一压电活性层，其厚度可通过施加在所述上、下电极之间的第一直流电压来控制和调整，以影响施加在上电极和下电极之间的RF电信号与机械振动之间的相互作用。