[发明专利]一种表面疏水防冰的方法

摘要

本申请公开了一种表面疏水防冰的方法，包括在硅片表面制作硅柱阵列；在所述硅柱阵列的表面和间隔位置制作黑硅。本申请提供的上述表面疏水防冰的方法，由于先在硅片表面制作硅柱阵列，然后在所述硅柱阵列的表面和间隔位置制作黑硅，这就形成了一种类二级微纳结构，在减小固体表面粘附性方面具有优异的效果，加工工艺简单，能够简化疏水防冰结构的形成过程，而且成本低，效率高。

主权项

一种表面疏水防冰的方法，其特征在于，包括：在硅片表面制作硅柱阵列，包括在所述硅片的表面涂光刻胶，在所述光刻胶上部设置掩膜版，并对所述光刻胶进行光刻和显影，形成掩膜图形，对形成掩膜图形之后的所述硅片进行刻蚀，形成硅柱阵列，去除所述光刻胶并清洗；将具有所述硅柱阵列的硅片放入感应耦合等离子体刻蚀设备中进行刻蚀，在所述硅柱阵列的表面和间隔位置形成黑硅；所述对形成掩膜图形之后的所述硅片进行刻蚀，形成硅柱阵列包括：进行预设时间的第一次刻蚀；测量形成的硅柱阵列的深度；利用所述预设时间和所述硅柱阵列的深度，计算刻蚀速率；利用所述刻蚀速率计算第二次刻蚀的时间，直到形成具有预设深度的硅柱阵列；所述在硅片表面制作硅柱阵列为：在所述硅片表面制作方形排列的高度范围为42微米至56微米、截面边长为10微米至14微米且边缘间距为28微米至32微米的长方体硅柱阵列，或者在所述硅片表面制作方形排列的截面直径为10微米至14微米且边缘间距为28微米至32微米的圆柱体硅柱阵列，或三角形排列的截面直径为10微米至14微米且边缘间距为46微米至50微米的圆柱体形状的硅柱阵列。