[发明专利]一种用于TFT铜钼叠层的双氧水系蚀刻液在审
| 申请号： | 201610342582.0 | 申请日： | 2016-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN105908188A | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | 洪明卫;邢攸美;李盈盈;高立江 | 申请（专利权）人： | 杭州格林达化学有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/44 | 分类号： | C23F1/44;C23F1/18;C23F1/26 |
| 代理公司： | 杭州赛科专利代理事务所(普通合伙) 33230 | 代理人： | 冯年群 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市萧*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜晶体管铜钼层叠膜蚀刻技术领域，具体涉及一种TFT铜钼层叠膜蚀刻液组合物,对于组合物的总重量，由以下组分组成：1‑30%重量的过氧化氢；0.01‑8%重量的过氧化氢稳定剂；0.5‑8%重量的磷酸盐类；0.1‑8%重量的无机酸；1‑10%重量的金属螯合剂；0.01‑5%重量的金属缓蚀剂；余量为水。本发明的蚀刻液组成物无含氟化合物，不会对玻璃基板或硅板产生腐蚀，对环境无污染，反应温和易于控制；金属螯合剂可以螯合产生的铜钼离子，避免双氧水的分解而降低寿命和产线的危险性；使用磷酸盐通过原电池反应自我调节铜钼的蚀刻速率，配合金属缓蚀剂，避免了铜缩进或者钼缩进，蚀刻过程稳定，蚀刻速率适中，蚀刻角度稳定在30~60°，临界尺寸损失小，改善后期铜制程性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 tft 铜钼叠层 双氧水 蚀刻 | ||
【主权项】：
一种用于TFT铜钼叠层的双氧水系蚀刻液，其特征在于，对于组合物的总重量，由以下组分组成：1‑30%重量的过氧化氢；0.01‑8%重量的过氧化氢稳定剂；0.5‑8%重量的磷酸盐类；0.1‑8%重量的无机酸；1‑10%重量的金属螯合剂；0.01‑5%重量的金属缓蚀剂；余量为水。
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