[发明专利]一种双柱磁芯结构的平面变压器

摘要

本发明公开了一种双柱磁芯结构的平面变压器，包括“πI”结构的铁氧体平板变压器磁芯和多层平面绕组线圈；本发明既降低了磁芯的整体厚度又保证了整个磁路磁通密度的均衡，同时，有效的解决了平面线圈漏磁的屏蔽；它可将磁路气隙设置在所有平面线圈绕组之外，避开了处于气隙平面绕组受气隙效应造成的影响；本发明使平板式变压器不再因受线圈匝数限制，而一味追求工作频率的提高，从而导致电源效率降低、电磁兼容很难达标等诸多技术瓶颈。

主权项

一种双柱磁芯结构的平面变压器，包括“πI”结构的铁氧体平板变压器磁芯和多层平面绕组线圈；其特征在于：“πI”结构的铁氧体平板变压器磁芯包括上磁芯和下磁芯；所述的上磁芯包括一个平板和两根磁柱，所述的两根磁柱设置在平板上，两根磁柱的截面相等，形状相同，平行排列；所述的下磁芯为一个与上磁芯平板形状和大小相同的平板；上磁芯和下磁芯之间黏接，其中磁柱的顶端到磁芯的平板的顶端的距离与磁柱的底端到磁芯的平板的底端的距离相同；所述的平面绕组线圈为：PCB板串联绕组的首、尾端均从PCB板的外边沿所排布的金属化孔焊盘引出；PCB板上开有两个平行排列的磁芯柱安装通孔；以双面覆铜基材走线，并形成围绕两个芯柱孔的四个绕组；每个芯柱孔边缘通过铜面走线过孔，使围绕于同一芯柱的覆铜走线形成绕向相同的“双层串联绕组”；使围绕于不同芯柱的两个“双层串联绕组”按绕向相反地进行串联即可构成双柱、四绕组串联的整板绕组，即得单层平面绕组线圈，再将得到的单层平面绕组线圈串接；得到适用于双柱磁芯结构的多层平面绕组线圈；在相邻单层平面绕组线圈之间设置绝缘层；最后在双柱磁芯结构的多层平面绕组线圈的顶层和底层设置绝缘层；所述的多层平面绕组线圈设置在上磁芯和下磁芯之间，两根磁柱设置在多层平面绕组线圈的磁芯柱安装通孔内。